技术编号:8923897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。对于CIS(CMOS Image Sensor,影响传感器,简称CIS)产品,键合是整个工艺流程中之冠重要的核心制程,而负载硅片与晶圆硅片键合的键合力又是键合制程中的关键指标,它决定这后续流程是否能够顺利进行下去,也影响着产品硅片边缘的缺陷和产品良率。常规技术中,键合的过程是首先于器件硅片的与负载硅片键合的表面附着一层材质为TEOS(Tetraethylorthosilicate,娃酸乙醋,简称TE0S)的薄膜,然后在等离子体发生器中完成器件硅片与负载硅片...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。