技术编号：8923971
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。宽带隙GaN基材料因其击穿电场高、饱和速度快、热导率高等优势而成为第三代半导体材料，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。近年来，GaN基HFET和HBT均吸引了众多学者研宄。目前GaN基HFET已经取得了飞跃发展，其截至频率已超过200GHz，并已实现了超高压工作(千伏以上)。相比GaN基HFET，GaN基HBT具有更显著的优势，其具有更高的功率密度、线性的电流增益、均匀的器件开关特性，更重要的是GaN基HBT是一种常关器件。另外，不同于Ga...
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