技术编号：8927107
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。以往，作为等离子体蚀刻装置等的半导体处理装置，已知有在该装置的侧部具有温度控制器的结构(例如参照专利文献I)。温度控制器相对于设于半导体处理装置的腔室循环供给被调节到规定温度的循环流体，以使腔室的温度达到目标温度的方式进行控制。因此，在温度控制器设有用于将循环流体冷却或加热的循环冷却加热装置。在专利文献I记载的循环冷却加热装置中采用具有外管、配置在外管的内部的内管以及配置在内管的内部的玻璃管的三重管构造。冷却水相对于外管流入流出，循环流体相对于内管流入流出...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。