技术编号：8927128
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明设及半导体材料的领域并且更特别地设及包含半导体纳米线的器件的领 域。 本发明更特别地设及包含衬底、至少一个半导体纳米线和介于该衬底和所述纳米 线之间的缓冲层的器件。背景技术 在纳米线生长领域中，已知的是使用成核层如A1N(氮化侣）或TiN(氮化铁）。该 些层可直接通过LPCVD(低压化学气相沉积）或者通过APCVD(大气压化学气相沉积）沉积， 正如文献W0 2011/162715中所述的。 此文献W0 2011/162715说明，如果能够导致生长的...
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