技术编号:8927129
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明设及用于液晶显示器或有机化显示器等显示装置的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor、TFT)及其制造方法。 技术背景 非晶(非晶质)氧化物半导体与通用的非晶娃(a-Si)相比,具有高载流子迁移度 (也称为场效应迁移率。W下,有时仅称为"迁移率"。),光学带隙大,能够W低温成膜。因 此,期待其面向要求大型、高分辨率、高速驱动的新一代显示器、耐热性低的树脂基板等的 应用。作为所述氧化物半导体,由铜(In)、嫁(Ga)、锋狂n)及氧(0)构成...
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