技术编号：8930998
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明是关于一种膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器。背景技术 近年来，伴随半导体组件的高集成化、高密度化，电路配线更加微细化，多层配线 的层数也增加。为了谋求电路微细化且实现多层配线，需要将半导体组件表面精确实施平 坦化处理。 半导体组件表面的平坦化技术，已知有化学机械研磨（CMP (Chemical Mechanical Polishing))。用于进行CMP的研磨装置具备贴合有研磨垫的研磨台、及用于保持研磨对 象物（例如半导体晶圆等的基板...
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