技术编号：8932301
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。例如，在作为功能元件而具有静电电容式的共振器的MEMS设备中，共振器在形成于基板的空腔内以真空状态被密封。为此，在基板上设置包围共振器的周围的构造体从而形成空腔，并将空腔内设为真空状态，且在空腔上接合有盖部(罩盖层)。以往，作为空腔的盖部，使用了通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposit1n)法堆积而成的氮化硅(P-SiN)等的绝缘物。然而，在使用氮化硅等绝缘物来作为空腔的盖部的情况下，无法实现在高性能的MEMS设备中所要求的高真空的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。