技术编号：8932793
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现今半导体或太阳能产业所需的硅晶锭，其制造所需的必要组件包含有坩祸。而目前所使用的坩祸，大多为石英材质，一般言，石英会与熔融状的硅产生反应，进而造成坩祸的损害。因此，必需通过硬化后的氮化硅涂布层在坩祸内壁形成一隔绝层，除能延长坩祸的使用时间外，亦能确保熔融硅能在坩祸中长晶成质量良好的晶锭。但是，在坩祸隔绝层的制造过程中，并无法确保隔绝层的厚度值与均匀度。进一步地说，传统隔绝层的制造方法，无法在坩祸的内壁面上形成所需的厚度值与均匀度的隔绝层，此造成硬化后的隔...
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