技术编号：8935593
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 本发明属于纳米材料，更具体地，特别涉及一种基于微沟道结构的微纳 米材料有序自组装图形化方法。背景技术 低维纳米材料(一维纳米线、棒、管、带；二维层片）相对于其他材料而言，其某维 度的物理尺寸被限制在纳米范围内，由于量子效应等的影响，一般具有超高的机械强度、热 电性能、发光效率、催化性能、磁性能等优异性质。可用于制备具有特定功能性纳米结构及 器件，例如场效应管（Field Effect Transistor，FET)，传感器（Sensor)，透明导...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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