技术编号:8935670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氧化锡(SnO2)是一种重要的宽带隙的η型半导体材料,禁带宽度为3.62eV。由于小尺寸效应及表面效应使得纳米氧化锡具有特殊的光电性能和气敏性能,这使得其在气敏元件、储存材料、电极材料及太阳能电池等方面有着潜在的应用。因此对SnO2纳米材料的制备及其性能研究相当活跃。微/纳米结构功能材料的形态和结构是影响其气敏性能的主要因素,众多科研人员致力于在制备过程中控制其形态和结构来实现气敏性能的增强。三维分级结构是指由诸如纳米颗粒、纳米棒、纳米线、纳米管、纳米片等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。