技术编号：8938185
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种加热器的制备工艺，属于加热器制备领域。背景技术半导体工艺通常需要在较高的温度范围内进行，而加热器是实现所需工艺温度的关键器件。以CVD为例，加热器通常位于载盘的下方。通过给加热器输入功率，加热器发热所产生的热量传输到载盘，使得其达到所需的工艺温度。在这些应用中，加热器和载盘通常没有直接的接触，所以传热方式以辐射和气流对流为主，在高温的时候更主要通过辐射的方式对载盘等部件进行加热。加热器中的发热体部分通常由片状、棒状或绞丝状的具有一定电阻的材料...
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