技术编号:8944625
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电材料与器件,更具体地,涉及。背景技术铜锌锡硫(CZTS)四元化合物和铜锌锡硫砸(CZTSSe)半导体被认为是最有希望取代铜铟镓砸Cu (In, Ga) Se2薄膜太阳能电池吸收层的新型化合物半导体。首先,从晶体结构上来看,锌黄锡矿型CZTS是通过Zn和Sn取代黄铜矿相CuIn2S中的两个In演化而来,因此,CIGS的制备方法和电池结构一般也适用于CZTS。CZTS和CZTSSe也是直接带隙p型半导体,光吸收系数大(>104cm),...
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