技术编号:8944645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 化学气相沉积法(CVD)是制备纳米层状二硫化钼薄膜的主要方法,它的优点是可 以实现批量化,制备工艺简单,成本低,可以对产物的结构进行有效控制。利用化学气相沉 积法制备纳米层状二硫化钼通常是指在高温条件下通过对钼的氧化物(M 〇03)或钼单质等 进行还原硫化来制备纳米MoS2的方法,其中硫源包括单质硫和硫化氢气体。其优点在于可 以制备纯度高、结晶程度好的纳米MoS 2,可以批量化实现大面积连续合成,具有较大的应用 价值。 金属钯的功函数为5. 12eV,二...
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