技术编号:8945428
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着多模多频移动通信发展,在射频前端集成电路设计中,射频天线开关结构越来越复杂,其要求较高的功率线性度,低插入损耗,高隔离度及高的谐波抑制比。RFSOI工艺由于其较低的成本,逐渐成为RFSW的主流工艺。现有技术中的射频开关体偏置电路通常采用图1结构,其中,RFl、RF2为射频端口,ANT是天线端口,CTl、CT2为控制端口,Ns1、Ns2分别为支路1、支路2的串联层置开关管,Npl、Np2分别为支路1、支路2的并联层置开关管,Rl、R3、R5、R7为偏置电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。