技术编号:8947113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明电弧蒸发金属靶材、金属间化合物靶材和陶瓷靶材以制造A卜Cr-N涂层本发明涉及基于阴极电弧蒸发的涂覆方法。阴极电弧蒸发是一种用于在高涂覆速率下沉积氮化物例如AlxCr1 XN层的已知方法。利用该方法,可以获得紧密且良好附着于表面的层膜。但在涂覆过程中形成了宏观粒子(小滴),其加入层膜中并且削弱了层膜质量。小滴的形成尤其出现在当靶具有至少两种熔点截然不同的金属时,就像铝和铬时出现的那样。此时,小滴的尺寸和数量可以通过提高氮流量被降低。与此相比,本发明的...
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