技术编号：8947575
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体器件的曝光工序中，随着电路高集成化和高速化，需要更微细的图案。作 为图案微细化的方法，主要是需要曝光源的短波长化，例如，极紫外光（EUV，波长13. 5nm) 作为制造下一代半导体器件的有前景的技术正在被积极地开发。不过，难以开发具有适用 于批量生产的必要高输出（100W)的光源装置，现状是停留在IOW级别，用于形成图案潜像 的曝光比较耗费时间。还有，对于使用电子束（EB)的电子束直接绘制法，由于光束直径小， 所以能够以高尺寸精度形成微细的图案，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。