技术编号：8947586
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。—种集成的硅和II1-N半导体器件可以具有诸如形成于硅中的金属氧化物半导体(MOS)晶体管的电子组件，以及诸如氮化镓场效应晶体管(GaN FET)的其他电子组件或者诸如形成于II1-N半导体材料中的光电探测器、发光二极管(LED)或激光器的光电子组件，其中所述硅和II1-N半导体材料被设置在共同衬底上。在制造硅和II1-N半导体材料中的组件之前，可能期望将硅和II1-N半导体材料集成在共同衬底上。发明内容—种集成的娃和II1-N半导体器件可以通过在具有第一...
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