技术编号：8956726
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在微机电系统(MEMS)或其它半导体元件的制造期间，可能经常需要对从衬底/载体背侧延伸至衬底前侧的深开口、深沟槽或深空腔的刻蚀。为了最终元件的良好功能性，可能需要背侧掩膜相对于衬底前侧上的结构的相对定位(调整)是准确的。此外，可能需要向衬底的前侧准确地传递由衬底背侧上的掩膜所限定的结构的定位，并且在从衬底的背侧向前侧的传递期间，可能需要保留在背侧上所限定的结构的形状，以使得已从背侧形成在衬底中并且在衬底前侧上开放的开口 /沟槽/空腔相对于前侧结构被准确地定...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。