技术编号:8981393
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,LED芯片生产工艺中为改善芯片出光效率以及散热性能,大量采用WaferBonding工艺更换LED芯片衬底,其衬底为具有良好的导热,导电性能以及较高光反射效率的金属衬底,或者娃衬底。传统Wafer Bonding工艺中均使用石墨加热器加热以及石墨治具作为温度传导器对键合材料进行加温加压,升温速率以及降温速率较慢,且石墨加热器寿命短,故障率高,造成Wafer Bonding工艺成本迅速升高。微波具有较大的穿透能力,加热时可使介质内部直接产生热量,直接作...
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