技术编号:8981461
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为一种II1-V化合物半导体,GaN具有许多硅基半导体材料不具备的优异性能,其最重要的物理特点是禁带宽度宽,从1.9eV到6.2eV可调,具有耐高温、耐腐蚀、饱和电子速率达、热导性好等特点,由于氮化物热点高,离解压大,体单晶制备十分困难。GaN的外延生长主要是在晶格失配很大的异质衬底(如蓝宝石、硅等)上进行。GaN和A1203之间的晶格失配达到13.6%,由于热膨胀系数的差别在外延生长后的降温过程中产生热应力,导致外延层出现裂纹,晶片弯曲。在蓝宝石上生长...
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