技术编号：9006034

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化学机械研磨工艺(CMP)是通过研磨液(Slurry)和研磨垫(Pad)与晶圆(Wafer)表面材料的化学反应及机械力的作用，将晶圆表面磨平，从而实现平坦化以满足半导体芯片设计的技术要求。其中，研磨垫(Pad)在研磨一段时间后，会有一些研磨颗粒和膜研磨下来的残留物在研磨垫表面的沟槽内沉积，这些颗粒和残留物会影响研磨液在研磨垫上的分布，进而影响研磨的均勾性。这时，业界便研宄出研磨垫修整器(Pad Condit1ner)对研磨垫的研磨表面进行修整，恢复沟槽并清...
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