技术编号：9015848
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。超结MOSFET器件是近年来出现的一种重要的功率器件，它的基本原理是电荷平衡平理，超结MOSFET器件的基本超结结构采用交替排列的P柱和N柱。超结MOSFET器件设计要考虑的一个重要问题是结终端结构的设计，好的结终端能有效提高器件耐压、降低漏电和提高器件可靠性。目前应用最广泛的超结结构的终端结构采用与元胞部分相同的超结结构，即通过多组相同的沟槽结构组成。具体如附图1所示，包括N型重掺杂衬底100，在N型重掺杂衬底100上具有N型外延层101，N型外延层10...
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