技术编号:9015882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。GaN材料是第三代半导体材料,禁带宽度为3.4eV,由于它性质稳定,又是波长位于蓝紫光的直接带隙发光材料,因此是制造蓝紫光LED芯片的优质材料。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,GaN基LED的内量子效率已经有了非常大的提高,目前GaN基的内量子效率可达70%以上,但LED的外量子效率通常只有40%左右。所以进一步提高GaN基LED的外量子提取效率能提高LED出光效率和降低LED的使用成本。然而影响GaN基的LED外量子效率的主要因素除了由于GaN材料...
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