技术编号：9027915
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。阻变型随机存储器(RRAM)是一种新型的非易失性信息存储技术，具有结构简单、兼容标准CMOS工艺、低操作电压、低功耗及高速读写等特点。其存储信息单元是由一种金属氧化物(例如CuOx，W0X，HfOx，T1x, ^(^等)实现的可变电阻。在不同的工作条件下，可变电阻表现出高阻态(例如10Kohm)和低阻态(例如1Kohm)的双极记忆特性。存储信息读取是将可变电阻的状态(高阻态和低阻态)转化成能为外部电路可识别的电平信号(低电平和高电平)。通常，一个存储单元所...
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