技术编号：9040074
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着人们对电子产品的要求朝着小型化的方向发展，电子芯片也朝向越来越薄的方向发展，但是硅晶圆的厚度如果要减薄至100微米或以下时，非常容易发生碎片、或者是在对晶圆做处理时由于应力导致晶圆弯曲变形等，无法对这种超薄晶圆进行直接加工处理。因此，为了能加工处理这类超薄晶圆，需要将这种超薄的晶圆首先与一载片临时键合，键合之后，晶圆与载片粘节为一体，就可以对晶圆进行减薄、TSV的制造、再布线层的制造、形成内部互连等工艺制作。然后再将晶圆与载片进行分离，并对减薄后的晶圆...
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