技术编号:9080618
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有的半桥型输出级电路存在以下缺点1.MOS管的导通速度快而截止速度慢,肯定会发生一管还未截止而另一管却已经导通的现象,故而在上、下MOS管的两个驱动信号中,除了互斥的高、低电平外,还必须增加一个同为低电平的“死区”,一般为几十到几百纳秒,以保证一管完全截止后另一管才导通。很多产品因死区的时间设置不合适,或因温度发生了变化,产生了不良的结果。死区时间太长,电源的利用效率下降,功放的失真加大;死区时间太短,上、下MOS管同时导通,由于两只MOS管直接连接正负...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。