技术编号:9087264
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁性传感器领域,特别涉及一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器。背景技术图1为构成GMR或者TMR类型角度传感器的磁多层薄膜I结构图,包括反铁磁层2、铁磁参考层3、非磁性隔离层4以及铁磁自由层5,磁多层薄膜两端的电阻受铁磁自由层5和铁磁参考层3之间相对夹角的控制,实际工作时,如图2所示,旋转永磁体6在封装的GMR或者TMR类型角度传感器芯片7的表面产生旋转磁场8,其中要求旋转磁场8大于铁磁自由层5的饱和磁化强度值,并且小于铁磁参考层3的各向异性磁...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。