技术编号：9088211
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体二极管具有体积小、高效、节能、使用寿命长等特点而广泛应用于显示屏、背光源、传感器、通讯及照明等领域。GaN基材料的外延生长是发展GaN基高亮度LED和全固态半导体白光照明光源的核心技术，但发光区其发光层量子阱(MQW)的品质难以成长的原因是MQW的位错密度比较大，皇和阱之间存在晶格失配产生的应力和极化电场，导致辐射复合效率比较低。因此，如何减少量子阱发光层中晶格缺陷，以提高量子阱发光层的晶体质量；以及如何降低量子阱发光层和GaN皇层和η型GaN层之间...
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