技术编号：9098732
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有设计的坩祸侧壁大多都为平整设计，在多晶硅的长晶阶段，通常在侧壁喷涂氮化硅后，在后续晶体生长过程中，侧部的晶体会形成大颗粒的枝晶晶体，其生长方向多为斜向坩祸中心区域。然而，本案的发明人发现，此种情况下，侧壁生成的晶体和中心晶体的生长方向相互冲突挤压，从而使得坩祸侧部区域的晶体受到的生长应力比较大，进而造成侧部晶粒的位错偏多。当该硅片被制作成太阳能电池后，容易造成该硅片的转换效率低，从而不利于能量的转换。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一...
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