技术编号:9105107
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。压力传感器利用的是单晶硅材料的压阻效应,现已广泛应用于气压、高度等领域的测量和控制中。单晶硅材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可以得到正比于力变化的电信号。目前被大批量生产和使用的压力传感器都是在N型硅衬底上制作出P型压敏电阻,通常做法是在单晶硅膜片上通过离子注入的方式形成重掺杂区、轻掺杂区。目前压力传感器在生产的过程中,先将硅片键合减薄后,再将其制作成压敏电阻。这样的生产工艺很容易引起膜片的塑性变形,使最终的压敏电阻偏离设计值,出现压阻...
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