技术编号：9115171
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在LED领域的晶体生长过程中，需要将坩祸置于保温筒内进行持续加热，如中国专利申请号为200820072692.0公开了一种坩祸内加热加热炉料装置，其构成包括保温筒(I)、坩祸(2)、加热体(3)、上盖(4)和坩祸盖(5)构成。结合上述专利的说明书附图图1不难看到，在现有装置中坩祸是直接安装在保温筒的内部，在坩祸的外层与保温层的内层之间存在20mm以上的间隙，在升温过程中坩祸会受到不可避免的热冲击振动，使得坩祸在保温筒中心位置出现偏移，该偏移会引起温场的不稳...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。