技术编号：9126495
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。III族氮化物(包括GaN、InN, AlN及其多元合金)半导体被誉为第三代半导体材料，具有禁带宽度宽、热导率高、耐腐蚀等优良的物理化学性能，在光电器件和微电子器件等方面具有广泛应用前景。但是由于缺乏同质衬底材料，III族氮化物一般生长在蓝宝石、SiC和Si衬底上，晶格失配和热失配导致的外延材料位错密度比较高，从而阻碍了相关器件性能的提尚和应用。生长III族氮化物的方法有很多种，一般是在衬底材料上利用外延生长的方法制备III族氮化物外延层，常见的外延生长方...
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