技术编号：9134560
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着科技的进步和发展，越来越多的半导体晶体，因其在光电系统中的突出作用，越来越得到人们广泛的重视。制备这些半导体单晶材料的方法有多种，主要包括提拉法，下降法，温度梯度法，水平布里奇曼法等。其中提拉法因其生长过程可见，可以实时观测晶体生长情况和晶体质量，容易生长较大直径的晶体等优势，在半导体单晶生长技术中占有很高的比例。在采用提拉法中，半导体晶体在坩祸中进行生长，坩祸内部的环境将直接影响晶体的质量。目前很多文献都涉及半导体单晶材料的生长装置，公开号为1784...
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