技术编号：9174749
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体硅抛光片制造过程中，为了使硅晶片背面更好地吸杂，需要背面损伤设备通过高压喷砂的方式，在硅晶片背面产生软损伤。背面软损伤设备是使用湿法喷砂的原理，即一定量的砂子，与18兆纯水按比例混合于设备自带储液槽内并搅拌均匀使用。目前，国内外背面软损伤工艺用砂子普遍使用日本FUJ頂I公司产的FQ3000或FQ2000型，其主要成分是A1203。背面软损伤砂子价格昂贵，每台喷砂设备每月消耗砂子近百万左右。主要成分是Al2O3的背面软损伤砂子与水混合后，极易沉淀。目...
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