技术编号：9180039
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及多晶硅领域，尤其涉及一种多晶硅铸锭热场结构。背景技术高效多晶铸造主要包括全熔法和半熔法两种，由于全熔法的高效多晶硅片的电池转换效率要比半熔法低，在如今追求高效的时代，半熔法渐渐占据主导地位。目前，半熔法需要与其配套的铸锭炉热场，使得在硅料熔化阶段能保留住坩祸底部的籽晶，继而在底部剩余的籽晶上行核以及生长。然而，由于半熔法工艺在熔化阶段需要控制籽晶不被熔化，现有技术中使用的工艺是在熔化阶段打开侧边的隔热笼来散热，使得坩祸底部的硅料熔化阶段处在熔...
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