技术编号：9188444
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。晶体娃包括单晶娃或多晶娃，传统生广晶体娃太阳电池的方法是，首先对清除了损伤层后的P型单晶硅片或多晶硅片进行扩散，从而在其表面生成p-n结。该p-n结所靠近的表面通常被称之为上表面，或发射极。为了减少反射率，在太阳电池的上表面会镀上一层减反膜。当前晶体硅太阳能企业多采用PECVD沉积氮化硅减反射膜来达到减反射的目的，并在单层氮化硅膜的基础上进一步优化为多层氮化硅减反射膜。由于氮化硅本身物理特性决定，最佳反射率目前可以做到5.8%。为了进一步降低膜层的反射率需...
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