技术编号：9188475
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着社会的发展，人们越来越重视节能环保，因此发光二极管(LED)被广泛地推广和使用，如LED灯。目前的大功率蓝光LED的外延结构，大多采用的是蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次设置有GaN缓冲层、接触层、发光层、接触层、透明导电层。该芯片外延结构由于GaN层在生长时，GaN与蓝宝石AI203晶格不十分匹配，造成GaN有一定的晶格缺陷，这些缺陷将导致半导体的P-N结发生隧道击穿，降低了二极管的抗静电能力，容易失效，影响其性能参数，不能满足单颗的大功率的照明要求。...
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