技术编号：9198916
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。信息技术的不断革新促使集成电路制造行业蓬勃发展，在此领域，离子注入工艺对半导体器件的电性能起到重要作用，但由于离子注入机台价格昂贵，不必要的宕机大大降低机台使用效率，成为高生产成本的重要推手。离子注入会破坏单晶硅片的晶格结构，通过热波仪可以量测出这种损伤值，称之为热波(Thermal Wave)值。让一个注入后的单晶硅片在进入待测温机台工艺前后各量测一次，分别得到前值和后值。当前，离子注入机台通常的日常点检方法是直接使用裸晶片(bare wafer)对注入...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。