技术编号：9199783
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着电子信息产业的快速发展，半导体制造工艺水平大幅度提高，光刻技术正在迈向14nm乃至1nm以下的分辨尺寸节点。光刻光源波长已从436nm(Hg-g)、365nm(Hg_i)发展到 248nm (KrF)、193nm (ArF)和 157nm(F2)，正在向 13.5nm (EUV)甚至 6.X nm 等更短波长发展。根据EUV光源的产生方式，其类型主要包括同步辐射(SR)型光源、放电等离子体(DPP)型光源和激光等离子体(LPP)型光源等。SR-EUV光...
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