技术编号：9199784
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。EUV光刻技术是193nm光刻技术向13.5nm EUV波段的合理延伸，最大限度地继承了传统光学光刻的发展成果，尽可能地提高刻线质量、增加刻线密度。根据新版的国际半导体技术发展路线图(ITRS)预测，2013年进入32nm技术节点，2016年实现22nm技术节点的量产。随着光刻技术进入32-22nm节点，极紫外光刻(EUVL)作为极大规模集成电路光刻工艺的主流光刻技术地位日益显现。为了进行EUV曝光实验，并获得低于32nm线宽的光刻图案，所采用的实验装置包...
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