技术编号:9201689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示,特别是指一种显示基板及其制造方法、显示装置。背景技术现有的GaN LED (发光二极管)是基于外延生长或化学气相沉积在原子级平整度的硅基板或者蓝宝石基板上制作。但该种制作方式存在以下缺陷1、硅基板或者蓝宝石基板价格昂贵;2、硅基板或者蓝宝石基板尺寸较小。上述缺陷使得采用GaN LED的显示器尺寸受限,并且成本较高。如何在便宜的、大面积的基板(如玻璃基板)上制作GaN LED成为亟待解决的问题。由于外延生长或化学气相沉积氮化物需要在1000摄...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。