技术编号:9201736
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中,LDMOS(LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor ;横向扩散金属氧化物半导体)由于在增益、线性度、开关性能、散热性能等方面的优势而被广泛应用于通讯类半导体器件之中。在如图1所示,在现有的某些半导体器件中,往往需要同时具备隔离LDNMOS (isoLDNMOS ;即,隔离的 N 型 LDM0S)、非隔离 LDNM0S(Non-1so LDNMOS ;即,非隔离的 N 型 LDM0S)和LDPMOS...
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