技术编号：9201744
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及集成电路（1C)器件制造工艺，尤其涉及替换栅极工艺。 为了提高器件的密度，多年的研究一直致力于降低半导体器件中的临界尺寸 (CD)。本研究已经导致了对用高k电介质和金属栅极替换传统的栅极材料的长期需要。与 相等厚度的二氧化娃相比，高k电介质可W提供增大的电容。具有合适的功函数的金属电 极可W避免电极与高k电介质连接处附近的电荷载流子耗尽。用于P沟道和N沟道晶体管 的电极通常需要不同的金属。 通过用于形成源极区和漏极区的处理可W不利地影响栅电极的...
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