技术编号:9201803
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明[000。 相关申请 本申请W美国临时专利申请61/951,941(申请日;2014年3月12日)为基础,并 享受其优先权。本申请通过参考该基础申请而包含该基础申请的全部内容。 本发明的实施方式涉及非易失性半导体存储装置。背景技术 作为非易失性半导体存储装置,已开发了通过例如在浮游电极或者陷阱层等的电 荷积累层内积累电荷来非易失性地存储信息的闪存装置等。非易失性半导体存储装置例如 具备非易失性地存储信息的存储元件和作为存储元件W外的元件的周围元件。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。