技术编号:9201804
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,作为用于提升闪速存储器的比特密度的方法,提出一种积层型闪速存储器,其具有存储单元积层而成的构造。该积层型闪速存储器能够以低成本实现大容量的半导体存储器。发明内容本发明提供一种可靠性高的半导体存储器。本实施方式的半导体存储器包括第一存储单元区域,其包含积层在半导体基板上方的多个存储单元;多层的第一虚拟区域,其邻设于所述第一存储单元区域;多层的第二虚拟区域,其于与所述第一虚拟区域之間配置所述第一存储单元区域,且邻设于所述第一存储单元区域;以及第一配线,...
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