技术编号：9201849
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。作为功率MOSFET的材料，研究了从Si向SiC的转换。这是因为SiC与Si相比限制带宽大、绝缘破坏电场、饱和漂移速度、热传导度高等。使用了 SiC的MOSFET的课题之一是沟道电阻高。例如，作为半导体基板而使用4H - SiC的Si面为最表面的结晶，但在SiC基板与栅极绝缘膜之间存在界面态(对应日语界面準位)，认为该界面态降低使用了 SiC的MOSFET的沟道移动度(μ )。使用了 SiC的MOSFET中，希望进一步提升沟道移动度。发明内容本发明提供具有...
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