技术编号：9201852
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氮化物半导体装置由于氮化物半导体的材料特性优越，因此作为能够兼顾晶体管的耐压的提高和导通电阻的降低的半导体装置而受到期待。例如，具有GaN(氮化镓)层与AlGaN(氮化铝镓)层的异质界面的场效应型晶体管受到关注。但是，在将设置于氮化物半导体装置的氮化物半导体层的栅极电极、源极电极、以及漏极电极分别通过接合线(bonding wire)与氮化物半导体装置的封装的栅极端子、源极端子、以及漏极端子电连接的情况下，由于接合线较细，因此存在难以向氮化物半导体装置供给...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。