技术编号:9201905
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。GaN (氮化镓)是制作LED外延片的材料之一。GaN是极稳定的化合物和坚硬的高熔点材料,也是直接跃迀的宽带隙半导体料,不仅具有良好的物理和化学性质,而且具有电子饱和速率高、热导率好、禁带宽度大和介电常数小等特点和强的抗辐照能力,可用来制备稳定性能好、寿命长、耐腐蚀和耐高温的大功率器件。通常,GaN基LED在蓝宝石衬底上进行外延生长。传统的GaN基LED外延结构一般采用InGaN/GaN的MQW (multiple quantum well,多量子讲)有源...
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