技术编号:9204367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在近年的半导体器件中,为了高速工作、低耗电等而必须适用Cu(铜)配线。Cu配线通过如下方法形成在使用镶嵌(Damascene)法在半导体衬底上的层间绝缘膜上形成配线槽后,在该配线槽的内部以及层间绝缘膜上堆积Cu (铜)膜,接下来使用化学机械研磨(CMPChemical Mechanical Polishing)法在配线槽内选择性地留下Cu膜,由此形成Cu配线。对于层间绝缘膜,使用氧化硅膜等。因为构成Cu配线的Cu与例如Al(铝)那样的配线材料相比,易于向氧...
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