技术编号:9204495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 工艺角可W在晶片之中变化(集成电路(1C)管巧从该晶片上被切割)、在从相同 的晶片上切割的1C管巧之中变化、和/或在1C管巧中的一个管巧内变化。工艺角的变化 会对1C的时序和/或其他特性有不利的影响。 在包括多个可辨别的1C块的1C管巧中(例如,在片上系统(SOC)中),由其他1C 块引起的随机变化会对1C块有不利的影响。 可W向工艺角的变化和/或其他随机变化的补偿提供基于高产量制造(HNM)测试 的结果编程的管巧上可编程烙丝阵列。烙丝阵列使得用于寻址的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。